LED芯片和高壓LED芯片
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 202021007519X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212434644U | 公開（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申請公布號 | CN212434644U | 申請公布日 | 2021-01-29 |
| 分類號 | H01L33/14(2010.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 邱偉 | 申請（專利權(quán)）人 | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;張靖琳 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道10號大街300號1幢1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種LED芯片和高壓LED芯片，該LED芯片包括單個LED芯片單元，該高壓LED芯片包括多個LED芯片單元，該LED芯片單元依次包括襯底、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層、電流擴(kuò)展層、絕緣層，其中，該絕緣層具有暴露電流擴(kuò)展層的一系列第一通孔。本實(shí)用新型的LED芯片和高壓LED芯片通過在單層絕緣層上設(shè)置一系列暴露電流擴(kuò)展層的第一通孔實(shí)現(xiàn)正電極到電流擴(kuò)展層的高效電流擴(kuò)展效果，優(yōu)化了電極與電流擴(kuò)展層的接觸位置分布，提高供電效率及發(fā)光效果。單層絕緣層的設(shè)計在降低成本的同時保障了芯片的良率。?? |
