一種高速垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111223739.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113675726A 公開（公告）日 2021-11-19
申請公布號 CN113675726A 申請公布日 2021-11-19
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/024（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄢靜舟;薛婷;楊奕;糜?xùn)|林 申請（專利權(quán)）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京君有知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 焦麗雅
地址 362100福建省泉州市惠安縣螺陽鎮(zhèn)城南工業(yè)區(qū)站前路19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于新型半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域，提出一種高速垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)，包括襯底（1）；在所述襯底上依次設(shè)置有MOCVD沉積緩沖層（2）、第一分布式布拉格反射層（3）、諧振腔（4）、第二分布式布拉格反射層（6）和歐姆接觸層（7）；所述外延結(jié)構(gòu)還包括半絕緣層（5）；所述半絕緣層（5）為GaAs層或AlxGa1?xAs層或InP層。本發(fā)明用二次外延再生長的半絕緣層代替氧化孔徑，可以改善VCSEL的熱特性，有利于實(shí)現(xiàn)室溫下芯片的連續(xù)發(fā)射，具有優(yōu)異的電學(xué)限制作用，采用低折射率的半絕緣材料可以同時實(shí)現(xiàn)良好的光學(xué)限制；同時采用半絕緣層掩埋有源區(qū)結(jié)構(gòu)可以減小寄生電容，有助于帶寬和高速調(diào)制。