一種VCSEL芯片氧化實時監(jiān)控方法及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110654563.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113314951B 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113314951B 申請公布日 2021-11-23
分類號 H01S5/183（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄢靜舟;王坤;楊奕;糜東林 申請（專利權(quán)）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理機構(gòu) 泉州市博一專利事務所（普通合伙） 代理人 方傳榜;蘇秋桂
地址 362100福建省泉州市惠安縣螺陽鎮(zhèn)城南工業(yè)區(qū)站前路19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種VCSEL芯片氧化實時監(jiān)控方法及設(shè)備，該方法包括如下步驟：先在待氧化的外延片頂部沉積p型接觸金屬電極，然后將外延片劃分為監(jiān)控區(qū)和目標芯片區(qū)，分別蝕刻出監(jiān)控氧化臺面和目標氧化臺面；將外延片放入氧化室中，監(jiān)控區(qū)的p型接觸金屬電極和襯底背面連接于電容表；開啟氧化制程，通過電容表實時采集監(jiān)控氧化臺面在不同氧化時間內(nèi)的電容?電壓曲線，并獲取氧化前的電容Cs、氧化任意時刻的電容Cdep和已氧化部分的電容Csox；實時計算監(jiān)控氧化臺面的已氧化面積A，并進一步求取監(jiān)控氧化臺面的氧化深度D；以氧化深度和氧化時間作為氧化監(jiān)控參照指標，繪制氧化深度?氧化時間的曲線關(guān)系圖，并由此實時控制目標芯片區(qū)的氧化深度。