一種低表面漏電流的探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111089548.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113540263B 公開（公告）日 2021-12-21
申請公布號 CN113540263B 申請公布日 2021-12-21
分類號 H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/103（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊奕;繆笛;鄢靜舟;薛婷 申請（專利權(quán)）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理機構(gòu) 泉州市文華專利代理有限公司 代理人 陳云川
地址 362100福建省泉州市惠安縣螺陽鎮(zhèn)城南工業(yè)區(qū)站前路19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低表面漏電流的探測器，包括InP襯底，在InP襯底上依次生長有通過蝕刻形成的隔離臺與P臺。所述襯底、隔離臺與P臺的上表面以及隔離臺、P臺的側(cè)面依次生長有第一鈍化層與第二鈍化層。所述隔離臺的上表面設(shè)有穿過所述第一鈍化層與第二鈍化層的n型接觸金屬環(huán)，在所述P臺上表面設(shè)有穿過所述第一鈍化層與第二鈍化層的p型接觸金屬環(huán)。本發(fā)明用復(fù)合鈍化層（復(fù)合鈍化層由下至上為半絕緣InP或InAlAs與介質(zhì)膜鈍化層）代替?zhèn)鹘y(tǒng)介質(zhì)膜鈍化層對探測器進行鈍化，減少了鈍化層與半導(dǎo)體界面之間的缺陷與界面態(tài)，有利于減小器件的漏電流。