一種垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120500244.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214589685U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214589685U 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/343（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛婷 申請（專利權(quán)）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理機構(gòu) 泉州市文華專利代理有限公司 代理人 陳云川
地址 362100福建省泉州市惠安縣螺陽鎮(zhèn)城南工業(yè)區(qū)站前路19號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種垂直腔面發(fā)射激光器的外延結(jié)構(gòu)，包括砷化鎵襯底，砷化鎵襯底上依次沉積有砷化鎵緩沖層、N型摻雜的DBR、有源層、氧化限制層、P型摻雜的DBR和歐姆接觸層，所述有源層由依次設(shè)置的限制層、波導層和堆垛層、對稱波導層以及對稱限制層組成，所述堆垛層包括多個堆垛單元和設(shè)置在堆垛單元之間的第一砷化鎵層，所述堆垛單元包括依次設(shè)置在第二砷化鎵層、第一砷化銦鎵層、砷化銦量子點層以及第二砷化銦鎵層，所述第一砷化鎵層的厚度在50至100nm。本實用新型相比于有源區(qū)為量子阱的激光器，量子點激光器能獲得更低的閾值電流密度,更高的斜率效率、更高的調(diào)制速率等優(yōu)點。