一種低表面漏電流的探測(cè)器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111089548.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113540263A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN113540263A 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/103（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊奕;繆笛;鄢靜舟;薛婷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建慧芯激光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 泉州市文華專利代理有限公司 代理人 陳云川
地址 362100福建省泉州市惠安縣螺陽(yáng)鎮(zhèn)城南工業(yè)區(qū)站前路19號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低表面漏電流的探測(cè)器，包括InP襯底，在InP襯底上依次生長(zhǎng)有通過(guò)蝕刻形成的隔離臺(tái)與P臺(tái)。所述襯底、隔離臺(tái)與P臺(tái)的上表面以及隔離臺(tái)、P臺(tái)的側(cè)面依次生長(zhǎng)有第一鈍化層與第二鈍化層。所述隔離臺(tái)的上表面設(shè)有穿過(guò)所述第一鈍化層與第二鈍化層的n型接觸金屬環(huán)，在所述P臺(tái)上表面設(shè)有穿過(guò)所述第一鈍化層與第二鈍化層的p型接觸金屬環(huán)。本發(fā)明用復(fù)合鈍化層（復(fù)合鈍化層由下至上為半絕緣InP或InAlAs與介質(zhì)膜鈍化層）代替?zhèn)鹘y(tǒng)介質(zhì)膜鈍化層對(duì)探測(cè)器進(jìn)行鈍化，減少了鈍化層與半導(dǎo)體界面之間的缺陷與界面態(tài)，有利于減小器件的漏電流。