一種可以改善外延過程中毛邊缺陷的硅片結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021004322.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211929434U | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211929434U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 吳泓明;鐘佑生;黃郁璿 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 鄭州合晶硅材料有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄭州合晶硅材料有限公司 |
| 地址 | 450000河南省鄭州市航空港區(qū)鄭港六路藍(lán)山公館202號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體硅片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅片結(jié)構(gòu)專利申請(qǐng)。從正面至背面，結(jié)構(gòu)依次為：硅片、硅片背面吸雜層，以及在吸雜層外部的若干層交替覆蓋或重疊覆蓋的具有保護(hù)作用的氧化層和無序硅晶格層；硅片為單晶硅片；吸雜層為多晶硅層或者通過機(jī)械損傷方式所形成的具有吸雜作用的層結(jié)構(gòu)；氧化層為二氧化硅層；無序硅晶格層為多晶硅、碳化硅或氮化硅。技術(shù)原理為：利用其無序硅晶格散亂無序的理化特點(diǎn)，當(dāng)生長(zhǎng)外延層時(shí)，可使晶核成長(zhǎng)過程中的成長(zhǎng)速率及方向相互牽制而無法長(zhǎng)大成核。采用這種新的背面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)后，較好克服了制備外延層過程中的毛邊缺陷問題，對(duì)于提高最終硅片產(chǎn)品良率具有較為積極的技術(shù)意義和較為實(shí)用的生產(chǎn)價(jià)值。?? |
