一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910066032.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109860279B 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN109860279B 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L29/417（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 戴超;史碧玉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京京東方顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許靜
地址 210033 江蘇省南京市棲霞區(qū)天佑路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其修復(fù)方法，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域；該薄膜晶體管包括由下至上依次形成的柵極金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、刻蝕阻擋層和源漏極金屬層，薄膜晶體管包括功能區(qū)和分別位于功能區(qū)兩側(cè)的兩個(gè)犧牲區(qū)；柵極金屬層包括位于功能區(qū)內(nèi)的第一柵極、分別位于兩個(gè)犧牲區(qū)內(nèi)的第二柵極和第三柵極、連接第一柵極和第二柵極的第一柵極連接部和連接第一柵極和第三柵極的第二柵極連接部；犧牲區(qū)負(fù)責(zé)承受靜電導(dǎo)致的半導(dǎo)體層欠損，避免柵極?源漏極短接對(duì)功能區(qū)產(chǎn)生影響，解決氧化物半導(dǎo)體層欠損導(dǎo)致的柵極?源漏極短接的問題。