一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810381129.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110400754B 公開（公告）日 2022-03-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110400754B 申請(qǐng)公布日 2022-03-08
分類號(hào) H01L21/465（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙文達(dá);戴超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京京東方顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許靜
地址 210033 江蘇省南京市棲霞區(qū)天佑路7號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種氧化物薄膜晶體管的制造方法，該制造方法包括在形成源極和漏極后，使用兩種或兩種以上氣體對(duì)氧化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的溝道區(qū)域進(jìn)行等離子體處理，其中至少包括一種非氧化性氣體；本發(fā)明的制造方法有效避免了使用單種非氧化性氣體進(jìn)行等離子體處理導(dǎo)致的電弧放電問題和使用單純氧化性氣體進(jìn)行等離子體處理導(dǎo)致的源漏極氧化問題，并且獲得的薄膜晶體管具有優(yōu)良的器件特性和均一性。