一種金屬氧化物薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111434043.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114122149A 公開（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114122149A 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) H01L29/786（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 商慧榮;李燕龍;黃洪濤;曹焜;高威;邵賢杰;王志軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京京東方顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 胡曉男;吳昊
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋路10號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管及制備方法、顯示裝置，解決了如何改善薄膜晶體管有源層與電極間的接觸電阻的問題。薄膜晶體管包括基板；柵極層設(shè)置在基板的一側(cè)；柵極絕緣層設(shè)置在柵極層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)；金屬氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在柵極絕緣層遠(yuǎn)離柵極層的一側(cè)；電極層設(shè)置在金屬氧化物半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離柵極絕緣層的一側(cè)；電極層部分設(shè)置在金屬氧化物半導(dǎo)體層的表面，部分設(shè)置在柵極絕緣層的表面；電極層包括源極和漏極，源極和漏極在金屬氧化物半導(dǎo)體層的兩側(cè)相對(duì)設(shè)置；非晶金屬氧化物層設(shè)置在電極層和金屬氧化物半導(dǎo)體層之間；第一絕緣層設(shè)置在電極層遠(yuǎn)離非晶金屬氧化物層的一側(cè)。