集成電路芯片內(nèi)電容器的放電控制電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200610148353.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101211907B 公開（公告）日 2010-05-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN101211907B 申請(qǐng)公布日 2010-05-19
分類號(hào) H01L27/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 莊宇;羅鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海貝嶺矽創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京金信立方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 黃威;張金海
地址 200233 上海市宜山路810號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出一種集成電路芯片內(nèi)電容器的放電控制電路，包括用作芯片內(nèi)電源的第一電容器及與之并聯(lián)的MOS管，還包括：放電狀態(tài)寄存器，用于控制第一電容器的放電狀態(tài)；反相器，連接于放電狀態(tài)寄存器和MOS管的柵極之間，用于控制MOS管的開啟從而對(duì)第一電容器放電；電阻，一端接地，另一端與MOS管的柵極連接，用于對(duì)MOS管的柵極以及與電阻并聯(lián)的第二電容器的放電。本發(fā)明提出的集成電路芯片內(nèi)電容器的放電控制電路，有效地保證了數(shù)據(jù)時(shí)序的簡(jiǎn)單可靠，同時(shí)避免了集成電路芯片的靜態(tài)功耗，很好地提高了集成電路芯片的工作效率。