低功耗低溫漂與工藝無關(guān)的電壓檢測(cè)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200310122085.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1635383A 公開（公告）日 2005-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN1635383A 申請(qǐng)公布日 2005-07-06
分類號(hào) G01R19/165 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 羅鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海貝嶺矽創(chuàng)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 上海貝嶺股份有限公司;上海貝嶺矽創(chuàng)微電子有限公司
地址 200233上海市宜山路810號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低功耗低溫漂與工藝無關(guān)的電壓檢測(cè)電路，包括：三路分壓電路、開關(guān)電路、整形電路；分壓電路由PMOS管P0至P3、PMOS管P5至P8和晶體管Q0以及MOS管P9至P12組成三組分壓電路；開關(guān)電路由NMOS管N0構(gòu)成；NMOS管N0柵極連接至分壓電路A處，NMOS管N0源極和PNP晶體管Q1源極連接至分壓電路B處，NMOS管N0漏極連接至分壓電路III的C處，PNP晶體管Q1的基極和集電極接地；整形電路由施密特觸發(fā)器組成；其特點(diǎn)是：在分壓電路1的分支上串接了一由NMOS管N0構(gòu)成的電壓漂移補(bǔ)償電路和由PNP管Q1構(gòu)成的負(fù)溫度系數(shù)補(bǔ)償電路。由此本發(fā)明在溫度變化時(shí)輸出值LVR電壓值基本不變，改善了工藝偏差帶來的LVR電壓漂移，達(dá)到了電壓檢測(cè)電路低功耗低溫漂且與工藝無關(guān)的效果。