低功耗低溫漂與工藝無關的電壓檢測電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200310122085.2 申請日 -
公開（公告）號 CN100403034C 公開（公告）日 2008-07-16
申請公布號 CN100403034C 申請公布日 2008-07-16
分類號 G01R19/165(2006.01) 分類 測量；測試;
發(fā)明人 羅鵬 申請（專利權）人 上海貝嶺矽創(chuàng)微電子有限公司
代理機構 上海專利商標事務所有限公司 代理人 上海貝嶺股份有限公司;上海貝嶺矽創(chuàng)微電子有限公司
地址 200233上海市宜山路810號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低功耗低溫漂與工藝無關的電壓檢測電路，包括：三路分壓電路、由NMOS管N0構成的開關電路、由施密特觸發(fā)器組成的整形電路；分壓電路由PMOS管P0至P3、PMOS管P5至P8和晶體管Q0以及MOS管P9至P12組成；NMOS管N0柵極連接至第一分壓電路的PMOS管P2的柵極處，NMOS管N0源極和PNP晶體管Q0發(fā)射極連接至第二分壓電路的PMOS管的P8的漏極處，NMOS管N0漏極連接至第三分壓電路的PMOS管P12的漏極處，PNP晶體管Q0的基極和集電極接地。在第一分壓電路的分支上串接了由NMOS管N0構成的電壓漂移補償電路和由PNP管Q1構成的負溫度系數(shù)補償電路。由此本發(fā)明在溫度變化時輸出值LVR電壓值基本不變，改善了工藝偏差帶來的LVR電壓漂移，達到了電壓檢測電路低功耗低溫漂且與工藝無關的效果。