低頻MEMS矢量傳聲器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111263128.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114095845A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號 CN114095845A 申請公布日 2022-02-25
分類號 H04R19/00（2006.01）I;H04R29/00（2006.01）I;G01H11/06（2006.01）I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 魏曉村;劉云飛;周瑜;馮杰 申請（專利權(quán)）人 中國電子科技集團公司第三研究所
代理機構(gòu) 工業(yè)和信息化部電子專利中心 代理人 華楓
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋北路乙7號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種低頻MEMS矢量傳聲器及其制備方法，低頻MEMS矢量傳聲器包括：敏感層、結(jié)構(gòu)層和基底，其中，敏感層包括多組電極和電阻，結(jié)構(gòu)層為細絲結(jié)構(gòu)層且用于支撐敏感層，基底的正面用于支撐結(jié)構(gòu)層，基底的正面形成有內(nèi)凹的拾音槽，敏感層和結(jié)構(gòu)層的至少部分覆蓋于拾音槽的上方，拾音槽的深度為H1，預設(shè)低頻聲場在拾音槽槽壁的邊界層厚度為H2，滿足：H1＞H2。根據(jù)本發(fā)明公開的低頻MEMS矢量傳聲器，增加懸空細絲的懸空高度，使其超出基底邊界層高度，減少基底邊界處切變粘滯效應(yīng)對聲場質(zhì)點振速影響，提高低頻MEMS矢量傳聲器低頻段靈敏度。