一體化硅壓阻式傳感器芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201820580699.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN208420258U | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-01-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN208420258U | 申請(qǐng)公布日 | 2019-01-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | G01L9/06;G01L17/00 | 分類(lèi) | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 譚志平;陳建波;莫嬋娟 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海天沐自動(dòng)化儀表有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京七夏專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 上海天沐自動(dòng)化儀表有限公司 |
| 地址 | 201612 上海市松江區(qū)松江高科技園莘磚公路518號(hào)11幢16樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)及壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域，具體的講涉及一體化硅壓阻式傳感器芯片,所述壓力傳感器和加速度傳感器一體化集成在單晶硅同一表面，所述壓力傳感器包括由下至上依次設(shè)置有硅壓阻式壓力傳感器基本體、壓力感應(yīng)膜片、二氧化硅埋層、壓敏電阻、絕緣層和金屬層，所述金屬層上設(shè)置有增穩(wěn)層；所述加速度傳感器與壓力傳感器結(jié)構(gòu)相同，且壓力感應(yīng)膜片上設(shè)置有兩個(gè)背腔及兩背腔中間的質(zhì)量塊，所述質(zhì)量塊對(duì)應(yīng)的金屬層和增穩(wěn)層設(shè)置為通孔，本實(shí)用新型通過(guò)在壓敏電阻上方位置設(shè)置的增穩(wěn)層從而降低由于芯片表面的靜電荷和內(nèi)部界面上的固定電荷對(duì)傳感器輸出造成的影響，從而使胎壓監(jiān)視準(zhǔn)確性高。 |
