陣列基板的制備方法和陣列基板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111518178.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114220772A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220772A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/84（2006.01）I;H01L27/12（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李錦 申請（專利權(quán)）人 合肥維信諾科技有限公司
代理機構(gòu) 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張娜;臧建明
地址 230037安徽省合肥市新站區(qū)魏武路與新蚌埠路交口西南角
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N陣列基板的制備方法和陣列基板，該制備方法包括：提供襯底；在襯底上形成金屬氧化物半導體層、阻氫層和含氫層；其中，阻氫層位于金屬氧化物半導體層和含氫層之間；在形成阻氫層的步驟中包括：形成金屬層；氧化處理部分金屬層，保留其余部分金屬層；其中，氧化處理的金屬層形成阻氫層，保留的至少部分金屬層與金屬氧化物半導體層相對應，且分別形成金屬氧化物薄膜晶體管的柵極層和有源層。阻氫層用于阻擋含氫層中的氫擴散到MO薄膜晶體管的有源層中。因此，本申請實施例提供的陣列基板的制備方法和陣列基板，能夠提高金屬氧化物薄膜晶體管的可靠性，從而提高陣列基板的可靠性。