過孔刻蝕方法和過孔刻蝕裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111493350.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114267587A 公開（公告）日 2022-04-01
申請公布號 CN114267587A 申請公布日 2022-04-01
分類號 H01L21/311（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;H01L21/77（2017.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梅運柱;賈馬龍;常李陽;張子曰;曹志文;李偉華;李陽 申請（專利權(quán)）人 合肥維信諾科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳娜娜
地址 230000安徽省合肥市新站區(qū)魏武路與新蚌埠路交口西南角
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種過孔刻蝕方法和過孔刻蝕裝置，先由第二膜層朝向基板的方向，在第二膜層的表面刻蝕過孔。當刻蝕過孔產(chǎn)生的生成物的光強變化率到第一預(yù)設(shè)值時，說明刻蝕過孔的位置到達第一膜層和第二膜層的界面。然后繼續(xù)刻蝕第一膜層形成過孔。在第二膜層刻蝕過孔時，通過監(jiān)測過孔產(chǎn)生的生成物的光強變化率能夠大致判斷過孔的刻蝕位置。通過生成物的光強變化率判斷過孔刻蝕的位置可能會有監(jiān)測延遲帶來的誤差。由于第一膜層厚度已知，第一膜層的材料材質(zhì)和密度相對均勻，因此刻蝕第一膜層的速率容易控制。在刻蝕過孔的最后階段，通過控制刻蝕時間控制過孔在第一膜層的刻蝕的深度，能夠提高刻蝕第一過孔的終點位置的精度。