一種太陽(yáng)能電池用多晶硅片的鈍化處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410024995.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103715310B 公開(kāi)（公告）日 2016-05-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103715310B 申請(qǐng)公布日 2016-05-11
分類(lèi)號(hào) H01L31/18(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈明榮;張漫;蘇曉東 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 常熟蘇大低碳應(yīng)用技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 常亮
地址 215500 江蘇省蘇州市常熟東南經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)東南大道68號(hào)1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體硅太陽(yáng)能電池制作工藝，公開(kāi)了一種簡(jiǎn)單有效的太陽(yáng)能電池用多晶硅片表面的鈍化處理方法，提供經(jīng)過(guò)制絨、擴(kuò)散和刻蝕處理的多晶硅片，去除表面的PSG；刻蝕去除多晶硅片的邊結(jié)；將多晶硅片浸沒(méi)于鈍化液中，同時(shí)在光照下利用鈍化液中的氫離子對(duì)多晶硅片表面進(jìn)行鈍化處理；在多晶硅片表面沉積SiNx薄膜。本發(fā)明的鈍化方法步驟少，操作簡(jiǎn)單易行；使用該鈍化方法進(jìn)行鈍化之后的多晶硅片樣品的少子壽命可以得到明顯提高，進(jìn)而提高了后續(xù)組件的穩(wěn)定性和效率。