圖像傳感器及其形成方法、工作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910399094.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110137193B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-09-14 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110137193B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-14 |
分類(lèi)號(hào) | H01L27/146 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孔翠翠;許愛(ài)春;祁榮斐;王淞山 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣;吳敏 |
地址 | 223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長(zhǎng)江東路599號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種圖像傳感器及其形成方法、工作方法,圖像傳感器包括:襯底,所述襯底包括若干像素區(qū)和若干隔離區(qū),所述隔離區(qū)與像素區(qū)相鄰,且所述隔離區(qū)包圍所述像素區(qū);位于所述襯底像素區(qū)內(nèi)的感光摻雜區(qū),所述感光摻雜區(qū)內(nèi)摻雜有第一離子;位于襯底像素區(qū)表面的第一摻雜層,所述第一摻雜層內(nèi)摻雜有第二離子,所述第二離子的導(dǎo)電類(lèi)型與所述第一離子相同;位于襯底隔離區(qū)表面的第一導(dǎo)電層;位于所述第一摻雜層和第一導(dǎo)電層之間的第一絕緣層。所述圖像傳感器的性能得到提高。 |
