靜態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810086149.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108109966B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN108109966B 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L21/8244（2006.01）I;H01L27/11（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 北村陽介;大石周;黃曉櫓 申請（專利權(quán)）人 德淮半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 中國貿(mào)促會專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 馬景輝
地址 223300江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及靜態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法。一種制造靜態(tài)隨機存取存儲器的方法，其特征在于，包括：在基底上形成圖案化的第一柵極部分，使得相鄰的第一柵極部分之間具有第一間隔區(qū)域；在所述第一柵極部分之上以及所述第一間隔區(qū)域中沉積柵極材料；以及對所述柵極材料進行選擇性刻蝕，從而形成第二柵極部分，其中所述柵極材料的一部分從所述第一間隔區(qū)域中去除，從而在所述第一柵極部分與所述第二柵極部分之間形成第二間隔區(qū)域，其中所述第一間隔區(qū)域的尺寸大于所述第二間隔區(qū)域的尺寸。