圖像傳感器的形成方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910721462.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110379828B | 公開(公告)日 | 2021-09-14 |
申請公布號(hào) | CN110379828B | 申請公布日 | 2021-09-14 |
分類號(hào) | H01L27/146 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 阿久津良宏 | 申請(專利權(quán))人 | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
地址 | 223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種圖像傳感器的形成方法,包括:提供襯底,所述襯底包括相對的第一面和第二面,所述襯底包括若干感光區(qū)以及位于相鄰感光區(qū)之間的隔離區(qū);在所述隔離區(qū)內(nèi)形成溝槽,所述溝槽內(nèi)具有隔離結(jié)構(gòu),所述隔離結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述襯底第二面表面;在所述隔離結(jié)構(gòu)表面以及所述襯底第二面表面形成柵格材料層,位于所述隔離區(qū)表面和隔離結(jié)構(gòu)表面的部分柵格材料層內(nèi)具有第一凹槽;在所述第一凹槽內(nèi)形成掩膜結(jié)構(gòu);以所述掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕所述柵格材料層,在所述隔離區(qū)第二面表面形成柵格結(jié)構(gòu)。所述圖像傳感器的性能得到提升。 |
