半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910291073.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110021603B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN110021603B 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L27/11517;H01L27/11551;H01L27/11563;H01L27/11578 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王賢超;徐楊 申請（專利權(quán)）人 德淮半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)包括若干層復(fù)合層，且所述若干層復(fù)合層沿基底表面法線方向重疊，每一層復(fù)合層包括第一材料層以及位于第一材料層表面的第二材料層，且第一材料層的材料和第二材料層的材料不同；形成貫穿所述復(fù)合結(jié)構(gòu)的第一開口，所述第一開口暴露出基底表面；刻蝕第一開口四周的第二材料層，分別在各個所述第二材料層內(nèi)形成第一凹槽；在所述第一開口和第一凹槽內(nèi)形成第一互聯(lián)結(jié)構(gòu)。所述方法工藝步驟簡單，節(jié)省了制備成本。