半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910633202.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110429059B 公開（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN110429059B 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) H01L21/768;H01L27/02;H01L23/535 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 北村陽介 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 德淮半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長(zhǎng)江東路599號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該方法包括：在半導(dǎo)體襯底上形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)；在半導(dǎo)體襯底以及第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)的表面形成第一介電層；在第一介電層的表面形成第一層間介質(zhì)層；在第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)之間形成第一開口，第一開口暴露所述第一介電層；在第一層間介質(zhì)層的表面沉積第二層間介質(zhì)層，其中，第二層間介質(zhì)層填充第一開口的開口端的一部分；刻蝕第二層間介質(zhì)層以形成第二開口，第二開口暴露第一開口；以及在第一開口和第二開口內(nèi)填充金屬材料以形成第一導(dǎo)線層。本申請(qǐng)還公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。