半導體結構和半導體結構的形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910633202.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110429059B 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN110429059B 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L21/768;H01L27/02;H01L23/535 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 北村陽介 申請（專利權）人 德淮半導體有限公司
代理機構 北京市一法律師事務所 代理人 劉榮娟
地址 223300 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導體結構的形成方法，該方法包括：在半導體襯底上形成第一柵極結構和第二柵極結構；在半導體襯底以及第一柵極結構和第二柵極結構的表面形成第一介電層；在第一介電層的表面形成第一層間介質層；在第一柵極結構和第二柵極結構之間形成第一開口，第一開口暴露所述第一介電層；在第一層間介質層的表面沉積第二層間介質層，其中，第二層間介質層填充第一開口的開口端的一部分；刻蝕第二層間介質層以形成第二開口，第二開口暴露第一開口；以及在第一開口和第二開口內填充金屬材料以形成第一導線層。本申請還公開了一種半導體結構。