圖像傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910330123.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110034145B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN110034145B 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉斌武;呂相南 申請（專利權）人 德淮半導體有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐文欣;吳敏
地址 223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種圖像傳感器及其形成方法，圖像傳感器包括：基底，所述基底包括中間區(qū)和包圍所述中間區(qū)的外圍區(qū)，所述中間區(qū)包括若干相互分立的第一像素區(qū)、以及位于相鄰第一像素區(qū)之間的第一隔離區(qū)，所述外圍區(qū)包括若干相互分立的第二像素區(qū)、以及位于相鄰第二像素區(qū)之間的第二隔離區(qū)，若干所述第一像素區(qū)沿第一方向排列，且若干所述第二像素區(qū)沿第一方向排列；位于所述基底第一隔離區(qū)內(nèi)的第一隔離結(jié)構，在所述第一方向上，所述第一隔離結(jié)構具有第一尺寸；位于所述基底第二隔離區(qū)內(nèi)的第二隔離結(jié)構，在所述第一方向上，所述第二隔離結(jié)構具有第二尺寸，且所述第二尺寸小于所述第一尺寸。所述圖像傳感器的成像質(zhì)量較好。