圖像傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910143681.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109904183B 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN109904183B 申請公布日 2021-08-31
分類號 H01L27/146 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王陽陽;夏春秋;湯茂亮;劉少東 申請（專利權(quán)）人 德淮半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 薛異榮;吳敏
地址 223302 江蘇省淮安市淮陰區(qū)長江東路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種圖像傳感器及其形成方法，圖像傳感器包括：半導體襯底；位于半導體襯底中的溢出柵極結(jié)構(gòu)，所述溢出柵極結(jié)構(gòu)具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)；位于所述溢出柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)半導體襯底中的溢出漏區(qū)，所述溢出漏區(qū)適于電學連接電源線；二極管摻雜層，所述二極管摻雜層位于溢出柵極結(jié)構(gòu)的第二側(cè)半導體襯底中；位于所述溢出柵極結(jié)構(gòu)底部半導體襯底中的附加浮空擴散區(qū)，所述附加浮空擴散區(qū)與二極管摻雜層相互分立且和溢出漏區(qū)相互分立。所述圖像傳感器的性能得到提高。