一種聚合物納米柱陣列的無模板制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610487730.8 申請日 -
公開（公告）號 CN106115617B 公開（公告）日 2018-12-11
申請公布號 CN106115617B 申請公布日 2018-12-11
分類號 B82B3/00;B82Y40/00 分類 超微技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 袁立嘉 申請（專利權(quán)）人 中科隨能科技（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京隨能科技有限公司
地址 100022 北京市朝陽區(qū)西大望路甲12號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種聚合物納米柱陣列的無模板制備方法，根據(jù)本發(fā)明的方法，提供一種聚合物，所述聚合物具有相應(yīng)的表面；在所述聚合物的所述表面上沉積未形成連續(xù)膜狀態(tài)的金屬層，通過所述沉積形成所述聚合物的被所述金屬層覆蓋的暫時(shí)保護(hù)區(qū)，以及未被所述金屬層覆蓋的暴露區(qū)；對沉積有所述金屬層的聚合物的表面進(jìn)行蝕刻，使得未被所述金屬層覆蓋的暴露區(qū)被蝕刻，而被所述金屬層覆蓋的所述暫時(shí)保護(hù)區(qū)未被蝕刻，由此形成聚合物的納米柱陣列。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)了一種聚合物納米陣列高度可控，又能夠快速成型、適用性廣、成本較低且大面積的制備垂直納米線陣列的方法。