一種高精度高電源抑制比耗盡型電壓基準電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922336693.2 申請日 -
公開（公告）號 CN211827062U 公開（公告）日 2020-10-30
申請公布號 CN211827062U 申請公布日 2020-10-30
分類號 G05F1/567(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 王婉;夏雪;董磊;王勇 申請（專利權(quán)）人 西安航天民芯科技有限公司
代理機構(gòu) 西安利澤明知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 西安航天民芯科技有限公司
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)錦業(yè)路70號衛(wèi)星大廈5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于電源技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種高精度高電源抑制比耗盡型電壓基準電路，其包含開關(guān)管以及與其連接的第一級基準產(chǎn)生電路、第二級反饋電路；本實用新型利用耗盡型NMOS的特性產(chǎn)生一個不隨溫度、電源電壓的變化而變化的內(nèi)部參考電壓，同時可以實現(xiàn)自啟動，相比于采用三極管及運放的典型電壓基準電路，本發(fā)明涉及的電壓基準電路更加簡化，尺寸更小；并且，本實用新型涉及的電壓基準電路采用兩級帶反饋的電路實現(xiàn)基準電壓的高精度、高穩(wěn)定性和高電源電壓抑制比等優(yōu)點，能夠廣泛應(yīng)用于各類DC/DC轉(zhuǎn)換器中。??