微型毛細(xì)管電泳芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910444190.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN110308195A 公開(kāi)(公告)日 2019-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110308195A 申請(qǐng)公布日 2019-10-08
分類(lèi)號(hào) G01N27/447;B01L3/00;G01N21/84 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 林孝康;張明哲;傅嵩 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 重慶高開(kāi)清芯科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律恒立業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 重慶高開(kāi)清芯科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展有限公司
地址 400039 重慶市九龍坡區(qū)科城路60號(hào)康田西錦薈2幢9層15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種微型毛細(xì)管電泳芯片包括第一層結(jié)構(gòu),在第一層結(jié)構(gòu)下表面布置至少一組微金屬電極,并且貫穿第一層結(jié)構(gòu)開(kāi)設(shè)至少一個(gè)進(jìn)液孔和一個(gè)出液孔;第二層結(jié)構(gòu),在第二層結(jié)構(gòu)上表面刻蝕微通道,以及儲(chǔ)液腔、緩沖液腔和、第一廢液腔和第二廢液腔;第三層結(jié)構(gòu),所述第三層結(jié)構(gòu)為CMOS檢測(cè)電路層,所述CMOS檢測(cè)電路的上表面為硅芯片;所述第一層結(jié)構(gòu)與第二層結(jié)構(gòu)鍵合,使所述進(jìn)液孔與所述儲(chǔ)液腔或緩沖液腔對(duì)齊,所述出液孔與所述第一廢液腔或第二廢液腔對(duì)齊,所述第二層結(jié)構(gòu)與所述CMOS檢測(cè)電路的上表面的硅芯片鍵合。本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)高度集成化,簡(jiǎn)化傳統(tǒng)的電泳芯片檢測(cè)裝置,減少檢測(cè)成本,實(shí)現(xiàn)快速片上檢測(cè)。