一種MOSFET并聯(lián)電路布局

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310326544.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103582408A 公開（公告）日 2014-02-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN103582408A 申請(qǐng)公布日 2014-02-12
分類號(hào) H05K13/04(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 劉杰;佟炳然 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽華盈汽車技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科迪生專利代理有限責(zé)任公司 代理人 劉杰;佟炳然;安徽華盈汽車技術(shù)有限公司
地址 102208 北京市昌平區(qū)回龍觀鎮(zhèn)龍錦苑六區(qū)24號(hào)樓3單元202
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MOSFET并聯(lián)電路布局，具體的說是一種基于單層鋁基板的功率MOSFET三相并聯(lián)電路，主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，這種電路基于單層鋁基板的三相MOSFET并聯(lián)電路，包括：在單層鋁基板上，由下至上分成3個(gè)區(qū)域，分別是U、V、W相區(qū)域，每個(gè)區(qū)域由上管并聯(lián)MOSFET模組和下管并聯(lián)MOSFET模組構(gòu)成，整個(gè)三相并聯(lián)電路共有6排平行的并聯(lián)MOSFET模組，每一排模組中包括n個(gè)MOSFET。本發(fā)明這種電路布局是在傳統(tǒng)鋁基板上，通過專門設(shè)計(jì)的電路布局，可以以較小的板面積提供較大的功率密度和良好的熱均衡性。