制備鈣鈦礦膜層的系統(tǒng)和方法及其應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110738058.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113471367A | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請公布號(hào) | CN113471367A | 申請公布日 | 2021-10-01 |
分類號(hào) | H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李明潔;王雪戈;吳俊杰;邵君;于振瑞 | 申請(專利權(quán))人 | 極電光能有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 孫立波 |
地址 | 214101江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)東部園區(qū)大成路1098 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了制備鈣鈦礦膜層的系統(tǒng)和方法及其應(yīng)用,所述系統(tǒng)包括:近空間升華設(shè)備、氣相輸送設(shè)備和基片退火設(shè)備,其中,所述近空間升華設(shè)備包括第一準(zhǔn)備腔室、近空間升華腔室和第一出片腔室;所述氣相輸送設(shè)備包括第二準(zhǔn)備腔室、氣相反應(yīng)腔室、第二出片腔室和氣相輸送腔室。采用該系統(tǒng)制備鈣鈦礦膜層不依賴基底的平整度,可在絨面基底上或具有較大粗糙度的基底上制備大面積均勻的鈣鈦礦膜層,同時(shí)采用該系統(tǒng)可以同時(shí)摻雜有機(jī)成分和無機(jī)成分,并且可以實(shí)現(xiàn)各組分含量的精確摻雜,鈣鈦礦膜層的晶體純度高且形貌可控,從而顯著提高鈣鈦礦太陽能電池的穩(wěn)定性和電性能。 |
