一種磁體及制備磁體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011613885.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114694906A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114694906A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01F1/053（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏方允;王登興;王湛;胡蝶 申請（專利權(quán)）人 北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 315803浙江省寧波市北倉區(qū)科苑路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種磁體及制備磁體的方法，該磁體包括第一磁性基體和鍍層，所述第一磁性基體具有厚度為10～20μm的表層，所述鍍層粘附在所述表層上，其中，所述表層中具有裂紋，所述裂紋的寬度不大于1.5μm，且所述裂紋在所述表層中的面積裂紋密度為0.06～0.08/μm；針對所述裂紋，其中寬度在0.5μm以下的裂紋的長度占所有裂紋長度的比例不小于80％。本公開提供的磁體包括第一磁性基體和鍍層，其中，第一磁性基體具有一高致密度的表層，因此，該磁體的抗磁衰減能力較強(qiáng)，高溫減磁率較低。