一種磁體及制備磁體的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011613885.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114694906A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114694906A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-01 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01F1/053（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 魏方允;王登興;王湛;胡蝶 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315803浙江省寧波市北倉(cāng)區(qū)科苑路18號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公開(kāi)涉及一種磁體及制備磁體的方法，該磁體包括第一磁性基體和鍍層，所述第一磁性基體具有厚度為10～20μm的表層，所述鍍層粘附在所述表層上，其中，所述表層中具有裂紋，所述裂紋的寬度不大于1.5μm，且所述裂紋在所述表層中的面積裂紋密度為0.06～0.08/μm；針對(duì)所述裂紋，其中寬度在0.5μm以下的裂紋的長(zhǎng)度占所有裂紋長(zhǎng)度的比例不小于80％。本公開(kāi)提供的磁體包括第一磁性基體和鍍層，其中，第一磁性基體具有一高致密度的表層，因此，該磁體的抗磁衰減能力較強(qiáng)，高溫減磁率較低。 |
