一種半導體封裝結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911194944.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110931368A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN110931368A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請（專利權）人 深圳揚興科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 221000 江蘇省徐州市金山東路北側中國礦業(yè)大學國家大學科技園泉山科技樓209室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導體封裝結構及其制備方法，該方法包括以下步驟：在導熱基底的上表面形成多個容置凹腔，在每個所述容置凹腔中均設置一高散熱型半導體芯片，在所述導熱基底的上表面依次設置第一、第二、第三熱阻絕緣層，在所述第三熱阻絕緣層上沉積形成金屬布線層，在所述金屬布線層上設置多個低散熱型半導體芯片，使得每個所述低散熱型半導體芯片與相應的所述高散熱型半導體芯片進行電性連接；在所述金屬布線層上設置多個引腳，在所述導熱基底的四周邊緣處形成一環(huán)形凹槽；接著通過模塑工藝形成一封裝層，所述封裝層的一部分嵌入到所述環(huán)形凹槽中，最后減薄所述導熱基底。