一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911194944.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110931368B 公開（公告）日 2021-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN110931368B 申請(qǐng)公布日 2021-04-30
分類號(hào) H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡欽洪;王橋 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳揚(yáng)興科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成實(shí)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳永虔
地址 518109 廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道清華社區(qū)清龍路6號(hào)港之龍科技園科技孵化中心3層DG區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，該方法包括以下步驟：在導(dǎo)熱基底的上表面形成多個(gè)容置凹腔，在每個(gè)所述容置凹腔中均設(shè)置一高散熱型半導(dǎo)體芯片，在所述導(dǎo)熱基底的上表面依次設(shè)置第一、第二、第三熱阻絕緣層，在所述第三熱阻絕緣層上沉積形成金屬布線層，在所述金屬布線層上設(shè)置多個(gè)低散熱型半導(dǎo)體芯片，使得每個(gè)所述低散熱型半導(dǎo)體芯片與相應(yīng)的所述高散熱型半導(dǎo)體芯片進(jìn)行電性連接；在所述金屬布線層上設(shè)置多個(gè)引腳，在所述導(dǎo)熱基底的四周邊緣處形成一環(huán)形凹槽；接著通過模塑工藝形成一封裝層，所述封裝層的一部分嵌入到所述環(huán)形凹槽中，最后減薄所述導(dǎo)熱基底。