一種頻差接近高抑制鎖相環(huán)晶體振蕩器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021134062.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN212572518U | 公開(公告)日 | 2021-02-19 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN212572518U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-19 |
分類號(hào) | H03L7/099 | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 蔡欽洪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳揚(yáng)興科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳叁眾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 杜立光 |
地址 | 518109 廣東省深圳市龍華區(qū)龍華街道清華社區(qū)清龍路6號(hào)港之龍科技園科技孵化中心3層DG區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種頻差接近高抑制鎖相環(huán)晶體振蕩器,包括電極柱體、底部卡板、外圍絕緣罩、晶體片、金屬片、導(dǎo)線、三極管VT和一號(hào)電阻,三極管VT與一號(hào)電阻、二號(hào)電阻、三號(hào)電阻、四號(hào)電阻構(gòu)成放大電路;交流旁路電容對(duì)交流信號(hào)相當(dāng)于短路;晶振體為石英晶體,在電路中相當(dāng)于電感。該電路是一個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩器,上端電容、下端電容、晶振體構(gòu)成選頻電路,其選頻頻率主要由晶振體決定,保證了裝置的輸出信號(hào)頻差的穩(wěn)定性。 |
