一種IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310087246.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103839994B 公開(kāi)（公告）日 2019-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN103839994B 申請(qǐng)公布日 2019-03-22
分類(lèi)號(hào) H01L29/739（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡愛(ài)斌; 朱陽(yáng)軍; 盧爍今; 王波; 陸江; 吳振興; 田曉麗; 趙佳 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉麗君
地址 200120 上海市浦東新區(qū)金橋路939號(hào)宏南投資大廈1513室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法，屬于半導(dǎo)體功率器件。該結(jié)構(gòu)從背面到正面依次包括，P+集電極，N+緩沖層、N?基底、P+基區(qū)、柵極和發(fā)射極；其中，P+集電極位于IGBT器件的底部，N+緩沖層包括第一緩沖層、第二緩沖層和第三緩沖層，P+型集電極到N?基底之間依次有第三緩沖層、第二緩沖層和第一緩沖層。本發(fā)明可以對(duì)IGBT的正向?qū)▔航岛完P(guān)斷時(shí)間分別優(yōu)化，從而可以獲得更好的導(dǎo)通和關(guān)斷的折中曲線(xiàn)，進(jìn)而可以?xún)?yōu)化IGBT的開(kāi)關(guān)特性。