IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210426232.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103794645B 公開（公告）日 2019-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN103794645B 申請(qǐng)公布日 2019-02-15
分類號(hào) H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡愛斌;朱陽軍;盧爍今;王波;吳振興;田曉麗;趙佳;陸江 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寶筠
地址 200120 上海市浦東新區(qū)金橋路939號(hào)宏南投資大廈1513
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種IGBT器件，該IGBT器件的N型基極區(qū)背面的依次設(shè)置有第一N型緩沖層、第二N型緩沖層和第三N型緩沖層，其中所述第一N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第五主族元素離子，且所述第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于N型基極區(qū)的雜質(zhì)濃度，所述第二N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第六主族元素離子，且所述第二N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于N型基極區(qū)的雜質(zhì)濃度，并小于所述第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度，所述第三N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第五主族元素離子，且所述第三N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度。三個(gè)緩沖層可以分別獨(dú)立優(yōu)化IGBT器件的相關(guān)特性，獲得更好的導(dǎo)通和關(guān)斷的折中曲線，進(jìn)而優(yōu)化IGBT的開關(guān)特性，從而提高了IGBT的器件的整體性能。