一種溝槽型IGBT結構的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310085577.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103839802B 公開（公告）日 2018-09-11
申請公布號 CN103839802B 申請公布日 2018-09-11
分類號 H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙佳;朱陽軍;胡愛斌;盧爍今 申請（專利權）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 劉麗君
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溝槽型IGBT結構的制作方法，屬于半導體技術領域。該方法在N?型襯底的上表面開出一窗口區(qū)域，在窗口區(qū)域通過硅的選擇氧化方法生長氧化層，在窗口區(qū)域的兩側分別刻蝕一溝槽；在N?型襯底的上表面和溝槽的側壁均淀積柵氧層，在柵氧層上淀積多晶硅層，刻蝕除兩溝槽內和兩溝槽之間以外的多晶硅層，在兩溝槽的外側分別形成p?基底區(qū)域，在p?基底區(qū)域形成N+注入區(qū)；在p?基底區(qū)域和所述多晶硅層上沉淀隔離氧化層，刻蝕部分隔離氧化層，形成發(fā)射器的接觸孔。本發(fā)明通過在硅表面以下生長氧化層，通過增加電容介質的厚度，減小密勒電容，從而增加了器件的快速反應能力。