一種平面型IGBT結(jié)構(gòu)的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201310085579.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103839803B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103839803B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-11-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/331 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 趙佳;朱陽(yáng)軍;陸江;盧爍今;田曉麗 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海聯(lián)星電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 | 代理人 | 劉麗君 |
| 地址 | 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種平面型IGBT結(jié)構(gòu)的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法為：在N?型襯底上開(kāi)出一窗口區(qū)域，在窗口區(qū)域通過(guò)硅的選擇氧化方法淀積氧化層，在N?型襯底和窗口區(qū)域的上表面均生長(zhǎng)柵氧層，在柵氧層上淀積多晶硅層，將窗口區(qū)域以外的多晶硅層形成柵極，通過(guò)離子注入法，在N?型襯底的上表面依次形成P?基區(qū)和N?注入?yún)^(qū)，在多晶硅層的表面依次淀積層間氧化層和金屬層，形成發(fā)射極，在N?型襯底的背面，通過(guò)離子注入法依次形成N型緩沖層和p?集電極區(qū)，在N?型襯底的背面，淀積背面金屬層。本發(fā)明在硅表面以下生長(zhǎng)氧化層，通過(guò)增加電容介質(zhì)的厚度，減小密勒電容，改善了傳統(tǒng)工藝中造成材料斷裂的問(wèn)題。 |
