一種IGBT的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310085624.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103839990B 公開(kāi)（公告）日 2018-06-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN103839990B 申請(qǐng)公布日 2018-06-19
分類(lèi)號(hào) H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/26 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 喻巧群;朱陽(yáng)軍;盧爍今;吳振興;田曉麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉麗君
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種IGBT的緩沖層結(jié)構(gòu)及其制作方法，屬于功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該緩沖層包括至少兩層N型摻雜層，緩沖層在漂移區(qū)和P+集電區(qū)之間，制作該緩沖層的方法為：在N?型襯底的背面通過(guò)質(zhì)子輻照形成第一摻雜層，第一摻雜層的摻雜濃度為5e14/cm3–5e16/cm3；在第一摻雜層通過(guò)掩膜板劃分出掩膜區(qū)域和透光區(qū)域；通過(guò)質(zhì)子輻照或者離子注入的方法在透光區(qū)域形成第二摻雜層，第二摻雜層的摻雜濃度為1e15/cm3–5e17/cm3。本發(fā)明可以獲得更理想的緩沖層摻雜濃度分布，可以改善開(kāi)關(guān)速度，同時(shí)抑制導(dǎo)通壓降的波動(dòng)。