一種IGBT及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510784090.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106711205B 公開（公告）日 2021-12-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN106711205B 申請(qǐng)公布日 2021-12-21
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 滕淵;朱陽軍;盧爍今;田曉麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寶筠
地址 200120上海市浦東新區(qū)金橋路939號(hào)宏南投資大廈1513室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種IGBT及其制作方法，該IGBT包括：半導(dǎo)體襯底、位于半導(dǎo)體襯底第一表面的正面結(jié)構(gòu)和終端結(jié)構(gòu)、位于半導(dǎo)體襯底第二表面的背面結(jié)構(gòu)，和位于半導(dǎo)體襯底側(cè)面的隔離層，隔離層覆蓋半導(dǎo)體襯底的側(cè)面、終端結(jié)構(gòu)的側(cè)面和背面結(jié)構(gòu)的側(cè)面，使得本發(fā)明實(shí)施例所提供的IGBT中，其PN結(jié)不會(huì)出現(xiàn)在IGBT的側(cè)面，從而避免了IGBT在其背面的PN結(jié)反偏時(shí)，其載流子從PN結(jié)側(cè)面邊緣流出，產(chǎn)生的漏電現(xiàn)象，提高了IGBT的反向阻斷能力。而且，本發(fā)明實(shí)施例所提供的IGBT制作方法，不需要長(zhǎng)時(shí)間的熱擴(kuò)散，加工時(shí)間較短，對(duì)IGBT的生產(chǎn)效率影響不大。