半導(dǎo)體器件的集電極結(jié)構(gòu)及TI-IGBT

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410133404.8 申請日 -
公開（公告）號 CN104979378B 公開（公告）日 2020-01-31
申請公布號 CN104979378B 申請公布日 2020-01-31
分類號 H01L29/417（2006.01）; H01L29/739（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張文亮; 朱陽軍; 滕淵 申請（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寶筠
地址 200120 上海市浦東新區(qū)金橋路939號宏南投資大廈1513室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的集電極結(jié)構(gòu)及TI?IGBT，其中集電極結(jié)構(gòu)包括：與漂移區(qū)的摻雜類型相反的集電區(qū)；與漂移區(qū)的摻雜類型相同的短路區(qū)，短路區(qū)與集電區(qū)相互隔離；形成于集電區(qū)與短路區(qū)背離漂移區(qū)一側(cè)的集電極；覆蓋集電區(qū)與短路區(qū)之間的集電極的絕緣體，絕緣體背離漂移區(qū)一側(cè)的表面與集電區(qū)和短路區(qū)之間的集電極的表面相接觸，朝向漂移區(qū)一側(cè)的表面與漂移區(qū)的表面相接觸，且與集電區(qū)和短路區(qū)均相接觸。由于上述背面結(jié)構(gòu)中從集電區(qū)上方傳輸至短路區(qū)的電子電流的傳導(dǎo)路徑為集電極上方→絕緣體上方→短路區(qū)上方，因此電子傳導(dǎo)路徑的電阻較大，從而用更小尺寸的集電區(qū)就可以完全抑制回跳現(xiàn)象，最終提高了器件的抗短路和功率循環(huán)能力。