一種功率器件的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310086257.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103839805B 公開(kāi)（公告）日 2018-09-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103839805B 申請(qǐng)公布日 2018-09-11
分類號(hào) H01L21/335;H01L21/324;H01L21/265 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳振興;朱陽(yáng)軍;田曉麗;盧爍今 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉麗君
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種功率器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括，在N+型襯底的上表面淀積N型摻雜的非晶硅薄膜層，形成N型的非晶硅場(chǎng)截止層，經(jīng)高溫退火后，通過(guò)外延方法在N型的非晶硅場(chǎng)截止層上形成N?外延層，然后在N?外延層的上表面形成SiO2薄膜層,在SiO2薄膜層的上表面曝光出環(huán)狀區(qū)域，形成終端的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)；在終端截止環(huán)上曝光出最外圍的環(huán)狀區(qū)域，然后進(jìn)行N+型離子注入和退火，形成終端區(qū)。本發(fā)明通過(guò)外延非晶硅形成的N型層作為功率器件的場(chǎng)截止層，剩余的載流子會(huì)很快被復(fù)合掉，外在表現(xiàn)就是使功率器件關(guān)斷的拖尾電流變短，減小關(guān)斷時(shí)間及關(guān)斷損耗。