一種電場阻斷型IGBT結(jié)構(gòu)的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310086227.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103839804B 公開（公告）日 2019-01-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103839804B 申請(qǐng)公布日 2019-01-11
分類號(hào) H01L21/331（2006.01）I; H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡愛斌; 朱陽軍; 盧爍今; 吳振興; 田曉麗; 趙佳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉麗君
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電場阻斷型IGBT結(jié)構(gòu)的制備方法，屬于半導(dǎo)體功率器件技術(shù)領(lǐng)域。制備方法為選擇N+單晶片作為N+型襯底，在N+型襯底上通過外延的方法依次形成第一外延層和第二外延層，在外延層上依次形成P+基區(qū)、N+發(fā)射區(qū)、柵極氧化層、柵極和發(fā)射極；將N+型襯底的背面減薄，移除部分第一外延層，形成N+型緩沖層，第二外延層為N?基區(qū)；在N+型緩沖層的背面通過離子注入的方法形成P+集電極層，然后在P+集電極層上面生長背金金屬層，N+型緩沖層厚度為5?35μm，N+型緩沖層的電阻率為1–10Ωcm。本發(fā)明可以使N?基區(qū)的厚度變得更薄，從而降低IGBT的導(dǎo)通電壓和關(guān)斷時(shí)間。