一種太陽(yáng)能電池制作方法及太陽(yáng)能電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810458958.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110556435A 公開（公告）日 2019-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110556435A 申請(qǐng)公布日 2019-12-10
分類號(hào) H01L31/0224（2006.01）; H01L31/04（2014.01）; H01L31/20（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蕭生剛; 劉萬滿 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市科納能薄膜科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳盛德大業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 賈振勇
地址 518053 廣東省深圳市南山區(qū)南山街道月亮灣大道2078號(hào)兆龍大樓第六層602號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于新能源領(lǐng)域，提供了一種太陽(yáng)能電池制作方法及太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)能電池制作方法包括如下步驟：采用掩膜技術(shù)在所述太陽(yáng)能電池的基體的背面形成至少一個(gè)P型非晶硅圖案與至少一個(gè)N型非晶硅圖案；采用所述掩膜技術(shù)在所述基體的背面的一側(cè)形成與所述P型非晶硅圖案對(duì)應(yīng)的發(fā)射極背接觸電極，并采用所述掩膜技術(shù)在所述基體背面的另一側(cè)形成與所述N型非晶硅圖案對(duì)應(yīng)的基極背接觸電極。上述的P型非晶硅圖案、N型非晶硅圖案、發(fā)射極背接觸電極和基極背接觸電極都采用掩膜技術(shù)完成，該技術(shù)對(duì)工藝的精度要求相對(duì)較低，因此完成效率較高，并且也不需要高額的設(shè)備投入，很大程度上降低了生產(chǎn)成本。