背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710155595.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107068798A 公開(kāi)（公告）日 2017-08-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN107068798A 申請(qǐng)公布日 2017-08-18
分類號(hào) H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張振剛;孫宏;宋江;趙崇亮;王海清;蕭生剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市科納能薄膜科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 胡海國(guó)
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)南山街道月亮灣大道2078號(hào)兆龍大樓第六層602號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制作方法，其中，該背接觸異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池包括單晶硅襯底，單晶硅襯底背面上依次設(shè)置有第一鈍化層和載流子收集層，載流子收集層包括設(shè)置在第一鈍化層上的第一層和設(shè)置在第一層上的第二層；第一層由n型非晶硅和p型非晶硅間隔設(shè)置形成；第二層為設(shè)置在第一層的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者第二層為設(shè)置在第一層的p型非晶硅上的n型非晶硅。本發(fā)明的技術(shù)方案中，在已經(jīng)形成的p型或n型非晶硅圖案上，全表面覆蓋一層n型或p型非晶硅，只需要做一次圖案形成，省略了第二次的非晶硅圖案形成，不存在兩次圖案之間的定位問(wèn)題，極大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，有利于背接觸異質(zhì)結(jié)電池的量產(chǎn)。