用于碳化硅單晶體生長過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022053565.X 申請日 -
公開（公告）號 CN213538157U 公開（公告）日 2021-06-25
申請公布號 CN213538157U 申請公布日 2021-06-25
分類號 C30B11/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李鐘海;徐洙瑩;裴悠松 申請（專利權(quán)）人 山東國晶電子科技有限公司
代理機構(gòu) 濟南智本知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張平平;谷冬清
地址 257000山東省東營市東營區(qū)云門山路1123號東營區(qū)石油科技產(chǎn)業(yè)園1期1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了用于碳化硅單晶體生長過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，包括：在進行直徑2英寸至8英寸的碳化硅單晶體生長時，在坩堝上安裝針對單晶體生長形態(tài)起到?jīng)Q定性作用的內(nèi)部支撐管，為了能夠?qū)尉w生長部分實現(xiàn)自由溫度梯度調(diào)控，在此還設(shè)計安裝了外部溫度控制的高密度密封碳環(huán)，通過內(nèi)部支撐管腔體的溫度梯度變化結(jié)晶形態(tài)和品質(zhì)也會有所不同；可以說用于結(jié)晶生長工藝中的溫度梯度制作成本低廉且具有明顯的效果，可以由此根據(jù)碳化硅單晶體生長的熱應力和溫度分布控制避免可能出現(xiàn)的晶體多型現(xiàn)象。另一方面，通過本方案還可使晶體生長部位保持要求的工藝溫度標準，進而提升晶體生長的合格率。