用于碳化硅單晶體生長過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010987508.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112210817A | 公開（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申請公布號 | CN112210817A | 申請公布日 | 2021-01-12 |
| 分類號 | C30B11/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 李鐘海;徐洙瑩;裴悠松 | 申請（專利權(quán)）人 | 山東國晶電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 濟(jì)南智本知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 山東國晶電子科技有限公司 |
| 地址 | 257000山東省東營市東營區(qū)云門山路1123號東營區(qū)石油科技產(chǎn)業(yè)園1期1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了用于碳化硅單晶體生長過程中溫度控制的組裝式坩堝裝置，包括：在進(jìn)行直徑2英寸至8英寸的碳化硅單晶體生長時，在坩堝上安裝針對單晶體生長形態(tài)起到?jīng)Q定性作用的內(nèi)部支撐管，為了能夠?qū)尉w生長部分實現(xiàn)自由溫度梯度調(diào)控，在此還設(shè)計安裝了外部溫度控制的高密度密封碳環(huán)，通過內(nèi)部支撐管腔體的溫度梯度變化結(jié)晶形態(tài)和品質(zhì)也會有所不同；可以說用于結(jié)晶生長工藝中的溫度梯度制作成本低廉且具有明顯的效果，可以由此根據(jù)碳化硅單晶體生長的熱應(yīng)力和溫度分布控制避免可能出現(xiàn)的晶體多型現(xiàn)象。另一方面，通過本方案還可使晶體生長部位保持要求的工藝溫度標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而提升晶體生長的合格率。?? |
