碳化硅單晶生長裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010987523.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112126975A | 公開（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請公布號 | CN112126975A | 申請公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號 | C30B23/00(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 裴悠松;徐洙瑩;李鐘海 | 申請（專利權(quán)）人 | 山東國晶電子科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 濟南智本知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 山東國晶電子科技有限公司 |
| 地址 | 257000山東省東營市東營區(qū)云門山路1123號東營區(qū)石油科技產(chǎn)業(yè)園1期1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種碳化硅單晶生長裝置，包括：用于容納碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩堝，所述坩堝外周包裹有隔熱層，所述坩堝包括上部的碳化硅原料區(qū)和下部的碳化硅單晶生長區(qū)；在所述的碳化硅原料區(qū)，坩堝內(nèi)外壁之間設(shè)置有開口向上的碳化硅原料槽，碳化硅原料槽內(nèi)側(cè)槽壁上端與坩堝上端內(nèi)壁形成石墨通道；在所述的碳化硅單晶生長區(qū)，坩堝內(nèi)腔中設(shè)置有石墨管，石墨管的管壁上端與碳化硅原料區(qū)的坩堝內(nèi)壁下端無縫對接，碳化硅籽晶位于坩堝底部且位于石墨管的內(nèi)腔中，石墨管的內(nèi)腔構(gòu)成碳化硅單晶生長室；經(jīng)加熱，升華的碳化硅原料通過石墨通道沿重力方向移動至碳化硅單晶生長室。本發(fā)明提供縮短工藝時間和降低成本的方式制造高品質(zhì)碳化硅晶的裝置。?? |
