一種氧化鎂次級(jí)發(fā)射體的制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110595623.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113471034A | 公開(公告)日 | 2021-10-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113471034A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-10-01 |
分類號(hào) | H01J9/12(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王浩東;李誠(chéng)迪;芮杰;鄧濤;張杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南京三樂集團(tuán)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 陸志斌 |
地址 | 210009江蘇省南京市浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)光明路5號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開來了一種氧化鎂次級(jí)發(fā)射體的制備方法,本發(fā)明以金屬鎳、銀、銀鎂合金作為靶材材料,交替濺射在發(fā)射極表面獲得復(fù)合過渡層。然后將復(fù)合過渡層的基體發(fā)射極與可揮發(fā)有機(jī)鎂鹽和氧化鋁粉制成的蒸發(fā)源分別放入真空設(shè)備中,抽真空后,對(duì)蒸發(fā)源加熱至200℃~300℃,對(duì)基體發(fā)射極加熱至600℃~900℃,再充入氧氣和氮?dú)猓拱l(fā)射極表面的復(fù)合層在氧氣氛圍中敏化,同時(shí)使鎂鹽在發(fā)射極表面分解并與氧氣反應(yīng)生成氧化鎂直接附著在基體表面,即制成氧化鎂次級(jí)發(fā)射體。本發(fā)明銫束管用電子倍增器的次級(jí)發(fā)射體的制作方法,制得的氧化鎂膜更加致密和牢固,裝配此次級(jí)發(fā)射體的電子倍增器能滿足銫束管長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)使用的要求和銫束管的壽命要求。 |
