一種高電子遷移率器件外延生長工藝參數(shù)的優(yōu)化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110596527.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113035697B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN113035697B 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L21/203（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭帥;馮巍;杜全鋼;謝小剛 申請（專利權）人 新磊半導體科技（蘇州）股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高電子遷移率器件外延生長工藝參數(shù)的優(yōu)化方法，涉及半導體制造技術領域。該方法包括：在預設加熱功率比下進行分子束外延生長，以獲得高電子遷移率器件外延片；測量跨整個外延片的光致發(fā)光半峰全寬二維圖譜；識別二維圖譜中的分界線，并計算分界距離；根據(jù)加熱功率比與分界距離之間的對應關系，確定下一次進行外延生長時所采用的加熱功率比。通過獲取測試樣品的光致發(fā)光半峰全寬二維圖譜，進而獲得對應的分界距離，然后根據(jù)加熱功率比與分界距離之間的對應關系，計算獲得經(jīng)優(yōu)化的加熱功率比，實現(xiàn)了加熱功率比的快速優(yōu)化調整，避免了重復多次試驗所帶來的襯底及設備機時的消耗，提高了生產(chǎn)效率，并降低了生產(chǎn)成本。